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氧化钨半导体电池

半导体电池

氧化钨半导体电池的出现是因为氧化钨具有非常优异的光学性质、电学性质以及稳定的半导体性能。三氧化钨是一种具有特殊N型结构的过渡金属半导体材料,引起特殊的性能,被广泛应用于气体传感器、光催化剂、电致变色、光致变色等方面,甚至有以纳米氧化钨为工作电极的报道。

研究指出一种氧化钨半导体电池及其制备方法,以氧化钨为原料,加入导电剂、活化剂、添加剂和有机聚合物成膜剂制成氧化钨半导体电池浆料,并以不同功函数的两种金属箔为正负电极,正负电极粘贴在塑料底片的同一水平面上,然后将氧化钨半导体电池浆料注入电极表面,经晾干、封装,制成氧化钨半导体电池。

这种氧化钨半导体电池具有三个特性:
1.半导体化学效应:也就是两种不同功函数金属箔电极间能产生电子输运;
2.光电效应:氧化钨半导体电池处于太阳光照下,电池的电流将发生比较明显的增加;
3.热电效应:一定的温度范围内(5-100°C),氧化钨半导体电池的电流随温度升高而增大。

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