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二硫化钨结构
二硫化钨结构从微观上是一个具有六方晶系的片层状中空球体；宏观上具有片状结构，其表面以S-W-S分子团形成六方形网络，层间以范德瓦尔斯力连接，这种弱结合力在层间容易被切断，从而表现出低摩擦系数。
严格控制制备条件，可以得到单层原子的二硫化钨结构，属于一种二维材料，与三维材料相比，二维材料具有极其不同的电子学与机械性能，可用在许多新奇的装置中。美国宾夕法尼亚州立大学设法沉积了少量的厚度不到1nm的二硫化钨(WO2)晶体，然后让这些晶体通过850ºC的高温硫蒸气，这些单层二硫化钨由一些三角形组成的蜂巢形结构排列而成。同时，研究人员发现，这些三角形结构的边缘强烈地发光，而用这种半导体材料制成的装置具有非常高的发光效率。
另外，中科院金属研究所采用金为生长基体的表面催化常压CVD方法，实现了高质量、均一单层的毫米级尺寸二硫化钨单晶以及大面积薄膜的制备，并且这种薄膜在弯折上百次后电学性能不发生衰减。
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