Chemische Gasphasenabscheidung
Für die Abscheidung von Wolframschichten aus der Dampfphase wird eine leicht verdampfbare Wolframverbindung mit einem Trägergas und / oder Reduktionsgas vermischt und bei einer höheren Temperatur zersetzt oder reduziert. Mögliche Wolframverbindungen sind Halogenide (vorzugsweise WF6 und WCl6), Wolframhexacarbonyl [W (CO) 6] und Organometallika. Bis jetzt sind nur die Halogenide technisch wichtig. Zur Überwindung der Nachteile der Halogenide wurden umfangreiche Untersuchungen in Richtung der Organometallchemie durchgeführt: die zur Reduktion notwendige hohe Temperatur und die durch Korrosion bedingten Schwierigkeiten.
Über CVD hergestellte Folien (chemische Gasphasenabscheidung) zeigen im Vergleich zu geschmiedeten P / M-Produkten eine ganz andere Mikrostruktur hinsichtlich Korngröße und Kornorientierung. Beide Parameter können durch die Abscheidebedingungen beeinflusst werden. Wolfram kann durch Änderung der Wachstumsbedingungen während der Abscheidung, zum Beispiel durch Bürsten, erhalten werden, was die Keimbildungsgeschwindigkeit erhöht und das säulenförmige Kornwachstum stört. Das Verfahren bietet auch die Möglichkeit, Schichten mit gewünschter Kristallorientierung oder sogar Einkristallschichten abzuscheiden.
CVD (chemische Gasphasenabscheidung) aus Wolfram und Wolfram-Rhenium (Co-Abscheidung von WF6 und ReF6) ist von kommerzieller Bedeutung für die Herstellung von Röntgen-Targets. W-Re-Schichten von bis zu 1 mm werden auf Graphitscheiben mit Durchmessern zwischen 100 und 150 mm abgeschieden. Darüber hinaus kann CVD verwendet werden, um zylindrische oder konische Schalen, Kegel (wie geformte Ladungsauskleidungen), Tiegel und dünnwandige Rohre herzustellen.
Niederdruck-CVD aus Wolfram wird auf Durchkontaktierungen, niederohmige Kontaktbarrieren und Leiterplatten für integrierte Schaltkreise mit hoher Dichte geprüft. Je nach Substrat und Abscheidebedingungen können entweder α- oder β-Wolfram oder ein Gemisch aus beiden Formen gebildet werden. Dies ist von Interesse, da der spezifische Widerstand von & beta; -W etwa 10mal höher ist als der von & alpha; -W.
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