三氧化鎢用於製備電阻元件
三氧化鎢是一種η-型寬禁帶半導體氧化物(禁帶寬度約2.4~2.8eV)，由於晶體記憶體在原子或電子缺陷，使化合物發生化學計量偏離，其電荷載流子濃度主要決定於化學計量缺陷(如氧空位)的濃度，使其具有優異的催化和氣敏性能，可以用於製備電阻元件。以WO3為敏感材料製備的電阻元件是一種限流元件。
自從1991年碳納米管被發現以來，一維納米材料所呈現的更加新穎的電、磁、光、熱等物理和化學特性越來越受到關注，展現出其在電阻元件的應用價值和廣闊的應用前景。而三氧化鎢納米線比傳統的氧化鎢材料具有更大的比表面積，其在電阻元件(氣敏感測器)、電致發光、光致發光、電導電極及光催化等方面均具有廣泛的應用前景。另外，三氧化鎢納米線還具有更高的表面活性和更強的吸附能力，加快與氣體的反應，從而大大提高了靈敏度並進一步降低了感測器的工作溫度。
三氧化鎢基氣敏電阻元件因具有結構簡單、成本低廉、靈敏度高等優點，而被認為是NOx、CO、O2和NH3等最具有發展前景的新型氧化物氣敏感測器之一。
三氧化鎢基NO2氣敏感測器
最早發現並報導三氧化鎢對NO2的氣敏性質是在1991年，Aliyama等發現了三氧化鎢在300°C時是檢測二氧化氮的良好敏感材料。二氧化氮在三氧化鎢表面的反應機理為：當二氧化氮到達三氧化鎢表面時，由於NO2親電子能力比吸附氧強，NO2就會從吸附氧離子中或從三氧化鎢導帶中奪得電子，從而使得WO3表面耗盡層寬度及勢壘高度提高，WO3導電率下降，電阻升高，這也就是電阻元件的原理。
三氧化鎢基硫化氫氣敏感測器
WO3基氣敏感測器對硫化氫氣體的作用機理在於，當三氧化鎢接觸硫化氫之後，引起負電荷載流子數目增大，進而引起n型半導體WO3的電阻下降。
三氧化鎢基NH3氣敏感測器
對WO3基NH3氣敏感測器的一些研究成果如下：
1. 採用電紡絲法製備WO3納米纖維，並研究這種納米纖維在350°C的溫度下對50~500ppm的氨氣的回應特性，得出其對氨氣回應速度快（小於20秒）的結論；
2. 在WO3厚膜的表面覆蓋一層鉑催化的Si-Nb層，不僅能加快對NH3的回應，而且其回應時間也得到了縮短；
3. 採用Au和三氧化鉬為添加劑，製備WO3基氨敏感測器，實驗表明，這種傳感器具有很好的耐高溫性和靈敏度，甚至可以在400°C的溫度下操作，而對氨氣的檢測極限可達1ppm；
4. 採用浸漬塗覆法在Si基板上製備三氧化鎢敏感膜，這種敏感膜在250~350°C範圍內對氨敏感；在300°C時敏感度達到最高，且回應時間為15秒，並且對乙醇、甲烷、丙酮和水蒸汽具有選擇性。
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