kemisk dampudfældning
Til udfældning af wolfram lag fra dampfasen er let fordampeligt wolframforbindelse blandet med en bæregas og / eller reducerende gas og nedbrydes eller reduceres ved en højere temperatur på et passende. Mulige wolframforbindelser er halogenider (fortrinsvis WF6 og WCl6), wolfram hexacarbonyl [W (CO) 6] og organometalforbindelser. Indtil nu kun halogeniderne er teknisk betydning. Omfattende undersøgelser i retning af organometalforbindelser er blevet iværksat for at overvinde ulemperne ved de halogenider: høj temperatur er nødvendig for reduktion, og de problemer, som skyldes korrosion.
Ark, der er produceret via CVD (kemisk dampudfældning), udviser en helt anden mikrostruktur i forhold til smedejern P / M-produkter i form af kornstørrelse og korn orientering. Begge parametre kan påvirkes af depositionsbetingelserne. Meget finkornet CVD (kemisk dampudfældning) wolfram kan opnås ved at ændre vækstbetingelserne under afsætning, for eksempel ved børstning, hvilket øger nukleær sats og forstyrrer den søjleformede kornvækst. Fremgangsmåden giver også mulighed for at deponere lag med ønsket krystal orientering eller endog monokrystallinske lag.
CVD (kemisk dampudfældning) af wolfram og wolfram-rhenium (co-aflejring af WF6 og ReF6) er af kommerciel betydning for produktionen af X-ray mål. W-Re lag på højst 1 mm afsættes på grafit diske med en diameter på mellem 100 og 150 mm. Endvidere kan CVD anvendes til fremstilling af cylindriske eller koniske skaller, kegler (såsom formede ladning liners), digler og tyndvæggede rør.
Lavtryks-CVD af wolfram testes for via stik, lavresistente kontakt barrierer, og forbinder til høj massefylde silicium integrerede kredsløb. Afhængig af substratet og deposition, enten α-eller β-wolfram, eller en blanding af begge, formularer. Det er af interesse, fordi resistiviteten ofβ-W er omkring 10 gange højere end ofα-W.
Hvis du har nogen interesse i wolfram pulver, er du velkommen til at kontakte os via e-mail:sales@chinatungsten.com eller telefonisk: +86 592 5129696
mere info>>