Deposición física de vapor (Sputtering)
Las dificultades combinadas con la temperatura elevada en caso de ECV pueden eliminarse mediante PVD (pulverización catódica). El sustrato en este proceso permanece bastante frío.
Se genera un haz de iones (preferentemente gases nobles) en una cámara de alto vacío por energía, libera partículas de tungsteno que se depositan sobre el sustrato.
El mejor diseño del equipo de pulverización permite la sustitución del tungsteno CVD. Los objetivos de Sputter usados para capas delgadas en la fabricación de la microelectrónica están hechos de W alto, ultra-alto, W-10% Ti y WSix.
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