Depósito de vapor químico
Para la deposición de capas de tungsteno a partir de la fase de vapor, se mezcla un compuesto de tungsteno fácilmente evaporable con un gas portador y / o gas reductor y se descompone o reduce a una temperatura más alta en una cantidad adecuada. Los posibles compuestos de tungsteno son haluros (preferiblemente WF6 y WCl6), tungsteno hexacarbonilo [W (CO) 6] y organometálicos. Hasta ahora, sólo los haluros son técnicamente importantes. Se han realizado amplias investigaciones en el sentido de los organometálicos para superar las desventajas de los haluros: las altas temperaturas necesarias para la reducción y las dificultades causadas por la corrosión.
Las láminas, producidas a través de CVD (deposición química en fase vapor), presentan una microestructura muy diferente en comparación con los productos P / M trabajados en términos de tamaño de grano y orientación del grano. Ambos parámetros pueden estar influenciados por las condiciones de deposición. Se puede obtener tungsteno CVD de grano fino (deposición química en fase vapor) cambiando las condiciones de crecimiento durante la deposición, por ejemplo, mediante cepillado, lo que aumenta la velocidad de nucleación y altera el crecimiento del grano columnar. El método también ofrece la posibilidad de depositar capas de orientación de cristal deseada o incluso capas de cristal único.
La deposición química en fase vapor de tungsteno y tungsteno-renio (co-deposición de WF6 y ReF6) es de importancia comercial para la producción de rayos X. Las capas W-Re de hasta 1 mm se depositan sobre discos de grafito con diámetros entre 100 y 150 mm. Además, las CVD pueden utilizarse para producir conchas cilíndricas o cónicas, conos (tales como revestimientos de carga conformados), crisoles y tubos de pared delgada.
CVD de baja presión de tungsteno se prueba para vías enchufes, barreras de contacto de baja resistencia e interconexiones para circuitos integrados de silicio de alta densidad. Dependiendo del sustrato y de las condiciones de deposición, se forma α-o β-tungsteno, o una mezcla de ambos. Esto es de interés, porque la resistividad de β-W es aproximadamente 10 veces mayor que la de α-W.
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