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텅스텐 산화물 반도체 셀
산화 텅스텐 (WO3) 반도체 셀은 산화 텅스텐의 광학, 전기적 및 반도체 특성에 기인합니다. n 형 구조를 갖는 WO3 천이 금속 반도체 재료는 가스 센서, 광촉매, 전기 변색, 포토 크로 믹 (포토 크로 믹)에서의 적용을 결정합니다.
산화 텅스텐 반도체 전지의 제조 방법 : 산화 텅스텐을 원료로하여 도전 제, 첨가제, 활성제 및 유기 고분자막 형성 제를 첨가하여 산화 텅스텐 반도체 셀 사이징 제를 형성합니다. 그런 다음 전극에 반도체 셀 사이징 제를 주입하십시오. 건조 후, 밀봉 및 산화 텅스텐 반도체 셀이 얻어진다.
속성 :
1. 반도체 화학적 효과 : 두 개의 다른 일 함수 금속 Pt 전극이 전기 천이를 일으킴.
2.광전 식 효과 : 햇빛 아래 산화 텅스텐 반도체 셀, 전압이 분명히 증가합니다.
3.광전 식 효과 : 특정 온도 (5-100 ℃) 안에, 세포의 전압은 온도에 증가한다.
관심이 있으시면 텅스텐 산화물, 언제든지 연락 주시기 바랍니다 이메일:sales@chinatungsten.com 또는 전화로:+86 592 5129696.
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