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텅스텐 디술 피드 구조
텅스텐 디설파이드는 현미경 적 구조에서 라멜라 육각형 중공 구입니다. 매크로에서는 시트 구조를 사용합니다. S-W-S 분자는 이황화 텅스텐 표면에서 육각형 망을 형성하고, 층간의 약한 결합력이 쉽게 파손되어 마찰 계수가 낮아서 반 데르 발스 힘에 의해 연결된 층이 형성된다.
엄격하게 생산 조건을 제어함으로써, 우리는 입체 물질과 비교하여 2 차원 물질 인 단층 원자 구조를 갖는 텅스텐 디설파이드를 얻을 수 있고, 2 차원 물질은 매우 다른 전자 및 기계적 특성을 가지며, 많은 새로운 장치. 펜실베니아 주립 대학은 산화 텅스텐 결정 (WO2) 두께가 1nm보다 작 으면,이 결정들이 850 ℃의 온도의 황 증기를 통과하여 텅스텐 디설파이드를 생성하게하고, 이러한 단일 층 텅스텐 디설파이드는 다수의 삼각형 허니 콤형 구조로 구성됩니다. 연구자들은 동시에이 삼각형 구조의 가장자리가 강하게 밝아졌으며,이 반도체 재료로 만들어진 소자는 매우 높은 발광 효율을 갖는다는 것을 발견했다.
또한, 중국 과학원이 금 기판을 성장시키는 데 사용하는 촉매 표면 대기압 CVD 법은 고품질의 균일 한 단일 층 단결정 및 대 면적 막의 밀리미터 크기의 단결정 텅스텐 디설파이드의 제조를 실현하며, 이 필름의 전기적 특성은 수백 번 굽힘 후에도 약화되지 않습니다.
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