Depósito de vapor físico (Sputtering)
Dificuldades combinadas com a temperatura elevada em caso de CVD podem ser eliminadas por PVD (sputtering). O substrato neste processo permanece bastante frio. Um feixe de íons (preferencialmente gás nobre) é gerado em uma câmara de alto vácuo por energia, liberta partículas de tungstênio que são depositadas no substrato.
A concepção melhorada do equipamento de pulverização permite de algum modo a substituição do tungsténio CVD. Os alvos Sputter usados para camadas finas na fabricação de microeletrônica são feitos de W alta, ou ultra-alta, W-10% Ti e WSix.
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