Deposição de vapor químico
Para a deposição de camadas de tungsténio a partir da fase de vapor, mistura-se um composto de tungsténio facilmente evaporável com um gás transportador e / ou gás redutor e decompõe-se ou reduz-se a uma temperatura mais elevada de um modo adequado. Os compostos de tungsténio possíveis são os halogenetos (preferencialmente WF6 e WCl6), tungsténio hexacarbonilo [W (CO) 6] e organometálicos. Até agora, apenas os halogenetos são tecnicamente importantes. Foram realizadas extensas investigações na direcção dos organometálicos para superar as desvantagens dos halogenetos: a alta temperatura necessária para a redução e as dificuldades causadas pela corrosão.
As folhas, produzidas por meio de CVD (deposição química a vapor), exibem uma microestrutura bem diferente em comparação com os produtos P / M trabalhados em termos de tamanho de grão e orientação de grãos. Ambos os parâmetros podem ser influenciados pelas condições de deposição. O tungsténio CVD de granulação fina (deposição química a vapor) pode ser obtido alterando as condições de crescimento durante a deposição, por exemplo, por escovagem, o que aumenta a taxa de nucleação e perturba o crescimento do grão colunar. O método também oferece a possibilidade de depositar camadas de orientação cristalina desejada ou mesmo de camadas de cristal único.
A deposição química de vapor de tungstênio e tungstênio-renênio (co-deposição de WF6 e ReF6) é de importância comercial para a produção de alvos de raios-X. As camadas W-Re de até 1mm são depositadas em discos de grafite com diâmetros entre 100 e 150 mm. Além disso, a CVD pode ser utilizada para produzir conchas cilíndricas ou cónicas, cones (tais como forros de carga moldados), cadinhos e tubos de paredes finas.
CVD de baixa pressão de tungstênio é testado para vias de contato, barreiras de contato de baixa resistência e interligações para circuitos integrados de silício de alta densidade. Dependendo do substrato e das condições de deposição, forma-se ou a-ou p-tungsténio, ou uma mistura de ambos. Isto é de interesse, porque a resistividade de p-W é cerca de 10 vezes maior do que a de a-W.
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