高純度タングステン粉末
高純度タングステン粉末は、タングステン粉末の少なくとも99.99％の純度を意味し、その含有量99.99％99.999％からその化学的純度は、不純物元素の多様であるべきです(0.1～1000)×10-12そのような放射性元素、アルカリ金属元素、重金属および他の要素、及びガス元素のようないくつかの不純物元素の含有量との間にも、特別な要件でした。その製品は、高純度タングステン、タングステン棒、タングステン電極、タングステン線、高純度タングステン板、タングステン板、純粋なタングステン及びチタンスパッタリングターゲット材です。
高純度タングステン粉末の調製
調製方法は、高純度タングステン粉末冶金、精錬及び化学気相堆積法に分けることができます。
1. 粉末冶金法で形成した後のタングステン粉末であり、その融点以下の温度に加熱され、緻密化プロセスの完了は、材料を通って移動し、最終的に得られたタングステンブランクまたはいくつかの単純な形状のタングステン製品。
2. タングステン原料の不純物を除去した後、冷却し、緻密化を達成するために固化する液相法を形成するためにその融点以上に加熱されて溶融を指し、使用される様々な手段によれば、具体的な方法は、真空消耗アーク溶融され、電子ビーム溶解プラズマビーム溶解法。
3. 典型的には、（タングステン化合物ガスの化学気相堆積を指しWF6）タングステン源は、一定の温度でありますH2プロセス内の特定の基板上にタングステンの結果として得られる堆積の低減、高密度のタングステンブランクを得るために、成膜終了後の基材を除去し、（または記事）。
高純度タングステン粉末を使用しています
高純度タングステン粉末を材料寿命及びその他の性能または特殊高温デバイス要求の製造に使用することができるにも追加する純粋なタングステン合金精密鋳造フィールドを使用することができ、また、高純度タングステン粉末とシリサイドを大きくするために使用することができます抵抗層、拡散防止層等が挙げられ、金属酸化物半導体トランジスタと、材料および他の材料に接続されたゲートとして規模集積回路。超高純度タングステン（5Nまたは6N）により、高電子移動度性、高温安定性と安定したシリサイドを形成することができるため、エレクトロニクス産業においてしばしばスパッタ薄膜の形態は、ゲート接続と金属バリアとして使用されます。超高純度タングステン及びタングステン複合材料は、多くの場合、シリコンまたはチタンタングステン高純度スパッタリングターゲットから作製される、等抵抗層、拡散障壁層としてVLSIのための基質または他の薄膜層を被覆する薄膜同様に、金属酸化物半導体トランジスタとの接続材料におけるゲート材料。
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