氧化钨薄膜电极

目前，纳米半导体材料作为光催化剂，用于光解水已得到了比较好的效果，TiO2由于具有较高的催化活性和稳定性，是研究较多的一种光催化材料，但是TiO2禁带宽度大(~3.2 eV)，只能被波长较短的紫外光激发，其光转化效率很低(~4%) 。三氧化钨( WO₃) 是一种间接带隙跃迁的半导体材料，与TiO₂相比较，WO₃的禁带宽度较窄( 2.5~3.0 eV)，相应的吸收波长为410~500 nm，在可见光区具有良好的光电响应性能。

氧化钨薄膜电极的制备方法如下：
原料：FTO（F-doped tin oxide导电玻璃）玻璃；钨酸；双氧水；丙酮。
（1）选用干净的FTO玻璃，作为滴涂法沉积WO₃的基底。将FTO玻璃切成1.2cm*2.5cm的小块进行超声清洗和紫外光照的清洗。因为FTO基底的干净平整情况对电极薄膜的附着力和均一性能等会有比较大的影响。所以在沉积WO₃薄膜之前，要对FTO基底进行严格的清洁。先用乙醇清洗FTO表面的脏物等。接下来将基底放入丙酮中超声 30min，除去表面残留的油污和乙醇，后再将其放入清水中超声 20min，除去表面残存的丙酮。最后用高纯氮气吹干。将清洗得干净的基底玻璃片放入紫外箱进行紫外消毒，备用。
（2）称取 0.02g 钨酸，用 20ml 30%的双氧水溶解，静置 12h 得无色透明的钨酸溶液，作为沉积WO₃的电解质溶液。
（3）使用（1）中洁净的基底作为工作电极，用移液枪量取 30 微升钨酸溶液，均匀滴涂在 FTO 导电玻璃表面，室温下干燥，最终得到无色的薄膜。
（4）将（3）中沉积的薄膜放入管式炉中，在 500℃空气气氛下灼烧 2h，得无色 WO₃电极。